HXY MOSFET NTD32N06T4G-HXY
Артикул: C54582514
Part Number: NTD32N06T4G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.223000 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.470400 ₽ |
| 10 шт. | 0.377600 ₽ |
| 30 шт. | 0.337000 ₽ |
| 100 шт. | 0.286500 ₽ |
| 500 шт. | 0.237700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.223000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 34.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.6nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.378nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 64pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 86pF |
Описание
60V 30A 2.5V 34.7W 22mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)