HXY MOSFET FDP5680-HXY
Артикул: C54582496
Part Number: FDP5680-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.367200 ₽
В наличии: 19 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.459300 ₽ |
| 10 шт. | 2.115900 ₽ |
| 50 шт. | 1.730200 ₽ |
| 100 шт. | 1.510400 ₽ |
| 500 шт. | 1.411200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.367200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 12mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 39nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.05nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 430pF |
Описание
60V 60A 4V 120W 12mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)