HXY MOSFET IPD90N06S4L03ATMA2-HXY
Артикул: C54582486
Part Number: IPD90N06S4L03ATMA2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.578400 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.072600 ₽ |
| 10 шт. | 0.870000 ₽ |
| 30 шт. | 0.769600 ₽ |
| 100 шт. | 0.669200 ₽ |
| 500 шт. | 0.609200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.578400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 130A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 140W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 66.1nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.377nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 77.7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.666nF |
Описание
60V 130A 1.6V 140W 3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)