HXY MOSFET FDD13AN06A0-F085-HXY
Артикул: C54582433
Part Number: FDD13AN06A0-F085-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.468800 ₽
В наличии: 26 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.940800 ₽ |
| 10 шт. | 0.771500 ₽ |
| 30 шт. | 0.688500 ₽ |
| 100 шт. | 0.603900 ₽ |
| 500 шт. | 0.494800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.468800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 45W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19.3nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.423nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 97pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 145pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
45W 60V 50A 2.5V 11mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)