HXY MOSFET IPD30N06S4L23ATMA2-HXY
Артикул: C54582429
Part Number: IPD30N06S4L23ATMA2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.390000 ₽
В наличии: 28 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.783100 ₽ |
| 10 шт. | 0.641800 ₽ |
| 30 шт. | 0.571900 ₽ |
| 100 шт. | 0.502100 ₽ |
| 500 шт. | 0.412700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.390000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 87.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 36nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.498nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 80pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 185pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
87.7W 60V 50A 1.5V 13mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)