HXY MOSFET 2N7002PW-HXY
Артикул: C54582427
Part Number: 2N7002PW-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.036900 ₽
В наличии: 80 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.075800 ₽ |
| 100 шт. | 0.061000 ₽ |
| 300 шт. | 0.053700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.043500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.039100 ₽ |
| 9000 шт. | 0.036900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 115mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.3Ω@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
Описание
60V 115mA 1.6V 200mW 1.3Ω@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-323 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)