HXY MOSFET SI2312BDS-T1-BE3-HXY
Артикул: C54582425
Part Number: SI2312BDS-T1-BE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.195000 ₽
В наличии: 75 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.412700 ₽ |
| 50 шт. | 0.329800 ₽ |
| 150 шт. | 0.295700 ₽ |
| 500 шт. | 0.227500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.208000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.195000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 900mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 750mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 23mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.9nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 260pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 27pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 48pF |
Описание
20V 3A 750mV 900mW 23mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)