HXY MOSFET SUD50N02-06P-E3-HXY
Артикул: C54582424
Part Number: SUD50N02-06P-E3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.314900 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.102300 ₽ |
| 10 шт. | 1.808400 ₽ |
| 30 шт. | 1.625000 ₽ |
| 100 шт. | 1.436700 ₽ |
| 500 шт. | 1.352300 ₽ |
| 1000 шт. | 1.314900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 750mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 200pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 500pF |
Описание
20V 60A 750mV 60W 4.5mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)