HXY MOSFET SI2367DS-T1-BE3-HXY
Артикул: C54582410
Part Number: SI2367DS-T1-BE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.171200 ₽
В наличии: 85 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.333900 ₽ |
| 50 шт. | 0.264500 ₽ |
| 150 шт. | 0.234800 ₽ |
| 500 шт. | 0.197700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.181100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.171200 ₽ |
Характеристики
| Тип | P-Channel |
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 48mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.8nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 740pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 190pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 290pF |
Описание
20V 4.2A 700mV 1.7W 48mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)