HXY MOSFET FDD8586-HXY
Артикул: C54582408
Part Number: FDD8586-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.293300 ₽
В наличии: 47 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.570300 ₽ |
| 10 шт. | 0.452100 ₽ |
| 30 шт. | 0.401800 ₽ |
| 100 шт. | 0.338700 ₽ |
| 500 шт. | 0.309500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.293300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 70W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 750mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 200pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 500pF |
Описание
20V 80A 750mV 70W 3.5mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)