HXY MOSFET NXV65UPR-HXY
Артикул: C54582405
Part Number: NXV65UPR-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.031400 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.064600 ₽ |
| 100 шт. | 0.052000 ₽ |
| 300 шт. | 0.045700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.037100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.033300 ₽ |
| 9000 шт. | 0.031400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 60mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 3.3nC@2.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 405pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 55pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 75pF |
Описание
20V 3A 700mV 1W 60mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)