HXY MOSFET SI2365EDS-T1-BE3-HXY
Артикул: C54582404
Part Number: SI2365EDS-T1-BE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.072200 ₽
В наличии: 95 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.148300 ₽ |
| 50 шт. | 0.119400 ₽ |
| 150 шт. | 0.105000 ₽ |
| 500 шт. | 0.094200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.076500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.072200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.4W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 550mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 12nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 950pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 120pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 165pF |
Описание
20V 5A 550mV 1.4W 30mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)