50 V, 100 mA NPN/PNP резистор-оснащённый двойной транзистор R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ

50 V, 100 mA NPN/PNP резистор-оснащённый двойной транзистор R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ

Артикул: C5455719 Part Number: PUMD9-QX Производитель: Nexperia
от 0.072300 ₽ В наличии: 2845 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.141600 ₽
50 шт. 0.111800 ₽
150 шт. 0.096900 ₽
500 шт. 0.085700 ₽
3000 шт. 0.076800 ₽
6000 шт. 0.072300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Тип NPN+PNP
Коэффициент усиления по постоянному току 100
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Рабочая температура -65℃~+150℃
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.4V@1mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV@100uA,5V
Соотношение сопротивлений резисторов 4.7
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 100mV
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

100 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения 300mW 100mA 50V TSSOP-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS