100V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5444217
Part Number: YFWG80N10AF
Производитель: YFW
от 0.301600 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.552300 ₽ |
| 10 шт. | 0.442500 ₽ |
| 50 шт. | 0.404800 ₽ |
| 100 шт. | 0.350800 ₽ |
| 500 шт. | 0.318000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.301600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 96W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 43nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.42nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 35pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 900pF |
Описание
100V 80A 2.5V 96W 5.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS