650V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5444207
Part Number: YFW10N65AF
Производитель: YFW
от 0.281900 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.552300 ₽ |
| 10 шт. | 0.434300 ₽ |
| 50 шт. | 0.390100 ₽ |
| 100 шт. | 0.327800 ₽ |
| 500 шт. | 0.298300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.281900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 750mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.037nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 138pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
32.1W 650V 10A 4V 750mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS