650V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5444190
Part Number: YFW12N65AS-R
Производитель: YFW
от 0.303300 ₽
В наличии: 298 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.593800 ₽ |
| 10 шт. | 0.476400 ₽ |
| 30 шт. | 0.419200 ₽ |
| 100 шт. | 0.360500 ₽ |
| 500 шт. | 0.320800 ₽ |
| 800 шт. | 0.303300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 32.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 600mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 46nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.528nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 147pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
32.1W 650V 12A 3.5V 600mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS