ANHI ADG120N080G2
Артикул: C5440045
Part Number: ADG120N080G2
Производитель: ANHI
от 8.437200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 22.256700 ₽ |
| 200 шт. | 8.881200 ₽ |
| 500 шт. | 8.584200 ₽ |
| 800 шт. | 8.437200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 80mΩ@20V |
| Заряд затвора (Qg) | 58nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.377nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 62pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | 20V |
Описание
1.2kV 35A 2.8V 188W 80mΩ@20V 1 N-канальный N-канальный TO-263-7L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)