1200V N-канальный кремний карбид мощность MOSFET
Артикул: C5440043
Part Number: ADQ120N080G2
Производитель: ANHI
от 7.772800 ₽
В наличии: 64 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.035800 ₽ |
| 10 шт. | 8.952600 ₽ |
| 30 шт. | 8.293300 ₽ |
| 90 шт. | 7.772800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 58nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.377nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 62pF |
Описание
1.2kV 35A 4V 188W 100mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)