QNHCHIP QNM30NP0812
Артикул: C54301007
Part Number: QNM30NP0812
Производитель: QNHCHIP
от 0.068200 ₽
В наличии: 70 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.134300 ₽ |
| 50 шт. | 0.105900 ₽ |
| 150 шт. | 0.091700 ₽ |
| 500 шт. | 0.081000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.072500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.068200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 27A;24A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 15.6W;14.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V;1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.4mΩ@10V;11.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC;22nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.004nF;900pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 88pF;146pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 117pF;172pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 1 N-канальный + 1 P-канальный N-канальный + P-канальный PDFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)