QNHCHIP QNM30ND15LX
Артикул: C54301000
Part Number: QNM30ND15LX
Производитель: QNHCHIP
от 0.041100 ₽
В наличии: 85 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.081000 ₽ |
| 50 шт. | 0.063800 ₽ |
| 150 шт. | 0.055300 ₽ |
| 500 шт. | 0.048800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.043700 ₽ |
| 5000 шт. | 0.041100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5.43W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 900mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 596pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 39pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 47pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
30V 10A 900mV 5.43W 17mΩ@10V 2 N-канальный N-канальный PDFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)