QNHCHIP QNN100P03BJ
Артикул: C54300997
Part Number: QNN100P03BJ
Производитель: QNHCHIP
от 0.176500 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.344100 ₽ |
| 50 шт. | 0.272600 ₽ |
| 150 шт. | 0.242000 ₽ |
| 500 шт. | 0.203700 ₽ |
| 2500 шт. | 0.186700 ₽ |
| 5000 шт. | 0.176500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 121nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 7.747nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 559pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 871pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 80A 1.7V 52W 3.9mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)