QNHCHIP QNN55P10AY
Артикул: C54300944
Part Number: QNN55P10AY
Производитель: QNHCHIP
от 0.168100 ₽
В наличии: 70 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.289000 ₽ |
| 50 шт. | 0.237400 ₽ |
| 150 шт. | 0.215300 ₽ |
| 500 шт. | 0.187700 ₽ |
| 2500 шт. | 0.175400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.168100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 57W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 82mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 50nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.292nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 70pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 87pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 18A 1.6V 57W 82mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)