VBsemi Elec SIZ322DT-T1-GE3-VB
Артикул: C54176957
Part Number: SIZ322DT-T1-GE3-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.421400 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.777500 ₽ |
| 10 шт. | 0.632100 ₽ |
| 30 шт. | 0.558600 ₽ |
| 100 шт. | 0.486800 ₽ |
| 500 шт. | 0.444300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.421400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.18W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 15nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 900pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 155pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 257pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 17.5A 2.5V 2.18W 9mΩ@10V 2 N-канальный N-канальный DFN-8(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)