Siliup SP20G65TD
Артикул: C54102155
Part Number: SP20G65TD
Производитель: Siliup
от 0.898500 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.343600 ₽ |
| 10 шт. | 1.161700 ₽ |
| 30 шт. | 1.070700 ₽ |
| 100 шт. | 0.979700 ₽ |
| 500 шт. | 0.926100 ₽ |
| 800 шт. | 0.898500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W;75W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A;20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 50uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V;2V |
| Заряд затвора (Qg) | 71nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.7V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 72pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 13pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 120ns;141ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 370uJ;590uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 460uJ;670uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 62ns;90ns |
Описание
650V TO-263 одиночные IGBT-транзисторы