Siliup SP10G65TH
Артикул: C54102154
Part Number: SP10G65TH
Производитель: Siliup
от 0.219200 ₽
В наличии: 82 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.443200 ₽ |
| 10 шт. | 0.347400 ₽ |
| 30 шт. | 0.306900 ₽ |
| 100 шт. | 0.256500 ₽ |
| 500 шт. | 0.232200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.219200 ₽ |
Характеристики
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W;38W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 50uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 28nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 670pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 37pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 10pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 74ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 180uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 170uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 57ns |
Описание
10A 650V TO-252 одиночные IGBT-транзисторы