Siliup SP010N02AGHTD
Артикул: C54102084
Part Number: SP010N02AGHTD
Производитель: Siliup
от 0.921200 ₽
В наличии: 23 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.389100 ₽ |
| 10 шт. | 1.197400 ₽ |
| 30 шт. | 1.101500 ₽ |
| 100 шт. | 1.007300 ₽ |
| 500 шт. | 0.950500 ₽ |
| 800 шт. | 0.921200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 200A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 275W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.85mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 152nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 9.499nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 38pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.602nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
275W 100V 200A 3V 1.85mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)