IGBT-модуль, 34mm модуль С быстродействующий траншейный/С ограничением поля IGBT4 И С управлением эмиттером 4 диод
Артикул: C540913
Part Number: FF100R12RT4
Производитель: Infineon
от 53.077000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 53.078700 ₽ |
| 10 шт. | 53.077000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 555W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.15V@100A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 800nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.2V@3.80mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 270pF |
| Время задержки включения Td(on) | 130ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 6.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
555W 100A 1.2kV IGBT модуль винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы RoHS