Транзистор предварительное смещение 50V TO-236
Артикул: C5383061
Part Number: S-LDTD113ZLT1G
Производитель: LRC
от 0.042600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.077200 ₽ |
| 100 шт. | 0.062300 ₽ |
| 300 шт. | 0.054900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.049300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.044900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.042600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 82 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.5V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 500mA 225mW поверхностный монтаж TO-236