Кремний NPN эпитаксиальный тип транзистор, высокий коэффициент усиления по постоянному току, низкий коллектор - эмиттер насыщение напряжение, высокий - скорость импульсный

Кремний NPN эпитаксиальный тип транзистор, высокий коэффициент усиления по постоянному току, низкий коллектор - эмиттер насыщение напряжение, высокий - скорость импульсный

Артикул: C5382754 Part Number: 2SC6100,LF Производитель: TOSHIBA
от 0.160500 ₽ В наличии: 2765 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.221900 ₽
50 шт. 0.195700 ₽
150 шт. 0.184500 ₽
500 шт. 0.170500 ₽
3000 шт. 0.164200 ₽
6000 шт. 0.160500 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN
Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Ток коллектора (Ic) 2.5A
Рассеиваемая мощность (Pd) 800mW
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 140mV
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Конфигурация -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

50V 1000 2.5A 1 NPN NPN 2-2U1A одиночные биполярные транзисторы RoHS