HEXFET мощность MOSFET
Артикул: C537905
Part Number: IRFH8330TRPBF
Производитель: Infineon
от 0.283500 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.302100 ₽ |
| 10 шт. | 0.294300 ₽ |
| 30 шт. | 0.289700 ₽ |
| 100 шт. | 0.283500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 25A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.3W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.45nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 250pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
3.3W 30V 25A 1.8V 5.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PQFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS