HEXFET мощность MOSFET
Артикул: C537888
Part Number: IRFH5007TRPBF
Производитель: Infineon
от 5.088400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.877100 ₽ |
| 10 шт. | 6.188200 ₽ |
| 30 шт. | 5.778800 ₽ |
| 100 шт. | 5.364600 ₽ |
| 500 шт. | 5.174500 ₽ |
| 1000 шт. | 5.088400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 75V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 156W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 65nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.29nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 210pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 510pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
156W 75V 100A 4V 5.9mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PQFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS