HEXFET мощность MOSFET
Артикул: C537864
Part Number: IRFB4615PBF
Производитель: Infineon
от 0.606500 ₽
В наличии: 180 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.285000 ₽ |
| 10 шт. | 1.086700 ₽ |
| 50 шт. | 0.808100 ₽ |
| 100 шт. | 0.685100 ₽ |
| 500 шт. | 0.631100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.606500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 150V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 144W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 32mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 26nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.75nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 40pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 155pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
144W 150V 35A 5V 32mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220AB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS