HEXFET мощность MOSFET
Артикул: C537863
Part Number: IRFB4510PBF
Производитель: Infineon
от 1.174700 ₽
В наличии: 57 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.707500 ₽ |
| 10 шт. | 1.499600 ₽ |
| 30 шт. | 1.385900 ₽ |
| 100 шт. | 1.257500 ₽ |
| 500 шт. | 1.200600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.174700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 62A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 140W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10.7mΩ@10V |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Заряд затвора (Qg) | 58nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.18nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 120pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 220pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
140W 100V 62A 4V 10.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220AB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS