Infineon IRF7379TRPBF
Артикул: C537811
Part Number: IRF7379TRPBF
Производитель: Infineon
от 0.260900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.710000 ₽ |
| 200 шт. | 0.274800 ₽ |
| 500 шт. | 0.265500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.260900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 45mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 25nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 520pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 72pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 180pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
2.5W 30V 5.8A 1V 45mΩ@10V 1 N-канальный + 1 P-канальный N-канальный + P-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)