650V 11A мощность MOSFET
Артикул: C5375283
Part Number: GSD11N65E
Производитель: XCH
от 0.485100 ₽
В наличии: 1119 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.618500 ₽ |
| 10 шт. | 0.552600 ₽ |
| 30 шт. | 0.518900 ₽ |
| 100 шт. | 0.485100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 96W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 380mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 720pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 20pF |
Описание
650V 11A 4.5V 96W 380mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS