650V CoolMOSTM CFDA мощность транзистор
Артикул: C537493
Part Number: IPW65R110CFDA
Производитель: Infineon
от 4.131500 ₽
В наличии: 28 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.476700 ₽ |
| 10 шт. | 5.010400 ₽ |
| 30 шт. | 4.625400 ₽ |
| 90 шт. | 4.324800 ₽ |
| 480 шт. | 4.190000 ₽ |
| 960 шт. | 4.131500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 31.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 277.8W |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 99mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 118nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.24nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | 160pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
277.8W 650V 31.2A 4V 99mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS