100V комплементарный пара обогащение режим MOSFET
Артикул: C5374778
Part Number: ZXMC10A816N8TA
Производитель: DIODES
от 0.468300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.834400 ₽ |
| 10 шт. | 0.683700 ₽ |
| 30 шт. | 0.609200 ₽ |
| 100 шт. | 0.534700 ₽ |
| 500 шт. | 0.490900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.468300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.1A;2.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.1W;2.6W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V;2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 170mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.2nC@10V;16.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 497pF;717pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 18pF;46pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 29pF;55pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 170mΩ@10V 1 N-канальный + 1 P-канальный N-канальный + P-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS