Infineon IPP028N08N3 G
Артикул: C537117
Part Number: IPP028N08N3 G
Производитель: Infineon
от 1.311100 ₽
В наличии: 125 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.052000 ₽ |
| 10 шт. | 1.775800 ₽ |
| 50 шт. | 1.603600 ₽ |
| 100 шт. | 1.426500 ₽ |
| 500 шт. | 1.345200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.311100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 206nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 14.2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 100pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.89nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
300W 80V 100A 2.8V 2.8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS