Infineon IPP023NE7N3 G
Артикул: C537115
Part Number: IPP023NE7N3 G
Производитель: Infineon
от 6.942100 ₽
В наличии: 8 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.189000 ₽ |
| 10 шт. | 7.083400 ₽ |
| 30 шт. | 7.011900 ₽ |
| 100 шт. | 6.942100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 75V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.1mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 155nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 10.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.42nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
300W 75V 120A 3.1V 2.1mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS