Кремний N-канальный MOS (U-MOSVII-H)
Артикул: C5370754
Part Number: TPH4R50ANH1,LQ(M
Производитель: TOSHIBA
от 2.039000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.830100 ₽ |
| 10 шт. | 2.534500 ₽ |
| 30 шт. | 2.350900 ₽ |
| 100 шт. | 2.160800 ₽ |
| 500 шт. | 2.076300 ₽ |
| 1000 шт. | 2.039000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 92A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 170W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 58nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 31pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 700pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 92A 4V 170W 3.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)