Infineon IPI200N25N3 G
Артикул: C536979
Part Number: IPI200N25N3 G
Производитель: Infineon
от 3.819400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.414900 ₽ |
| 192 шт. | 4.030300 ₽ |
| 496 шт. | 3.889200 ₽ |
| 992 шт. | 3.819400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 250V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 64A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 64nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.34nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 297pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
300W 250V 64A 4V 17.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-262-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS