Infineon IPI111N15N3 G
Артикул: C536971
Part Number: IPI111N15N3 G
Производитель: Infineon
от 1.754100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.784200 ₽ |
| 200 шт. | 1.851600 ₽ |
| 500 шт. | 1.786600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.754100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 150V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 83A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 214W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.23nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 378pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
214W 150V 83A 3V 9.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-262-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS