Infineon IPI072N10N3 G
Артикул: C536965
Part Number: IPI072N10N3 G
Производитель: Infineon
от 0.423000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.151500 ₽ |
| 200 шт. | 0.446100 ₽ |
| 500 шт. | 0.430700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.423000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 51nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.91nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 25pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 646pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
150W 100V 80A 3.5V 7.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-262-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)