Infineon IPDD60R125G7
Артикул: C536922
Part Number: IPDD60R125G7
Производитель: Infineon
от 1.711600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.666800 ₽ |
| 200 шт. | 1.806700 ₽ |
| 500 шт. | 1.743300 ₽ |
| 1000 шт. | 1.711600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 27A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 120W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 125mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.08nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 420pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 22pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
120W 650V 27A 3.5V 125mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный HDSOP-10-6.6mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS