Infineon IPDD60R102G7
Артикул: C536921
Part Number: IPDD60R102G7
Производитель: Infineon
от 2.105500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.741500 ₽ |
| 200 шт. | 2.221800 ₽ |
| 500 шт. | 2.144800 ₽ |
| 1000 шт. | 2.105500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 32A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 139W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 102mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 34nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.32nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 516pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 27pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
139W 600V 32A 3.5V 102mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный HDSOP-10-6.6mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS