Infineon IPDD60R080G7
Артикул: C536920
Part Number: IPDD60R080G7
Производитель: Infineon
от 3.616200 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.804100 ₽ |
| 10 шт. | 4.962600 ₽ |
| 30 шт. | 4.461000 ₽ |
| 100 шт. | 3.954400 ₽ |
| 500 шт. | 3.720700 ₽ |
| 1000 шт. | 3.616200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 174W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 80mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.64nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 643pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 34pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
174W 650V 40A 3.5V 80mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный HDSOP-10-6.5mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS