Infineon IPDD60R050G7
Артикул: C536919
Part Number: IPDD60R050G7
Производитель: Infineon
от 8.790300 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.302700 ₽ |
| 10 шт. | 9.083100 ₽ |
| 30 шт. | 8.936700 ₽ |
| 100 шт. | 8.790300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 57A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 278W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 50mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 68nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.67nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.05nF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 55pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
278W 650V 57A 3.5V 50mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный HDSOP-10-6.5mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS