PNP кремний поверхностный монтаж транзистор с монолитный смещение резистор сеть
Артикул: C5368877
Part Number: S-LDTB123YLT1G
Производитель: LRC
от 0.016900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.032900 ₽ |
| 200 шт. | 0.026000 ₽ |
| 600 шт. | 0.022200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.019900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.017900 ₽ |
| 21000 шт. | 0.016900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.5 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 500mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23