Infineon IPD80R3K3P7
Артикул: C536887
Part Number: IPD80R3K3P7
Производитель: Infineon
от 0.609300 ₽
В наличии: 74 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.632000 ₽ |
| 10 шт. | 0.622300 ₽ |
| 30 шт. | 0.615800 ₽ |
| 100 шт. | 0.609300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1.9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 18W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.3Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 120pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 3.2pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
18W 800V 1.9A 3V 3.3Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS