Infineon IPD65R1K4C6
Артикул: C536843
Part Number: IPD65R1K4C6
Производитель: Infineon
от 0.377300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.028100 ₽ |
| 200 шт. | 0.398900 ₽ |
| 500 шт. | 0.385000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.377300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 700V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 28W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.4Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 225pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | 18pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
28W 700V 3.2A 3.5V 1.4Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS